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| Numero di parte | FDG6332C_F085 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 700mA, 600mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 700mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 113pF @ 10V |
| Potenza - Max | 300mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-6 |
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
Disponibile: 15000
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6
Disponibile: 0
