Fairchild/ON Semiconductor FDD8770

Numero di parte: FDD8770
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Fairchild / ON Semiconductor

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Numero di parte	FDD8770
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	73nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3720pF @ 13V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 35A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252AA
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63