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| Numero di parte | FCP110N65F |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 3.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4895pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 357W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 17.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 600V TO-220
Disponibile: 1574
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 35A TO220
Disponibile: 649
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: FCP11N60N IN TO220 F102 T/F OPTI
Disponibile: 0
fabbricante: Cornell Dubilier Electronics (CDE)
Descrizione: CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206
Disponibile: 0
fabbricante: Cornell Dubilier Electronics (CDE)
Descrizione: CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206
Disponibile: 0
fabbricante: Cornell Dubilier Electronics (CDE)
Descrizione: CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206
Disponibile: 0
