Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli ZXTP2012GTA

Diodes Incorporated ZXTP2012GTA

Numero di parte
ZXTP2012GTA
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
TRANS PNP 60V 5.5A SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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In stock 42500 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    0.20625/pcs

  • 1,000 pcs

    0.20625/pcs

  • 2,000 pcs

    0.19250/pcs

  • 5,000 pcs

    0.18288/pcs

  • 10,000 pcs

    0.17600/pcs
Totale:0.20625/pcsUnit Price:
0.20625/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteZXTP2012GTA
Stato parteActive
Transistor TypePNP
Corrente - Collector (Ic) (Max)5.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 500mA, 5A
Corrente - Limite del collettore (max)20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 2A, 1V
Potenza - Max3W
Frequenza - Transizione120MHz
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoTO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223
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