Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli ZXTN2011GTA

Diodes Incorporated ZXTN2011GTA

Numero di parte
ZXTN2011GTA
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
TRANS NPN 100V 6A SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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In stock 64521 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.20625/pcs
  • 1,000 pcs

    0.20625/pcs
  • 2,000 pcs

    0.19250/pcs
  • 5,000 pcs

    0.18288/pcs
  • 10,000 pcs

    0.17600/pcs
Totale:0.20625/pcs Unit Price:
0.20625/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte ZXTN2011GTA
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max) 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 220mV @ 500mA, 5A
Corrente - Limite del collettore (max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 2V
Potenza - Max 3W
Frequenza - Transizione 130MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
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