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| Numero di parte | ZXMD63C02XTC |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 1.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 15V |
| Potenza - Max | 1.04W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MSOP |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
Disponibile: 1000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
Disponibile: 1000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
Disponibile: 1000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP
Disponibile: 7000
