Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli ZVN3310ASTOA

Diodes Incorporated ZVN3310ASTOA

Numero di parte
ZVN3310ASTOA
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Numero di parte ZVN3310ASTOA
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore E-Line (TO-92 compatible)
Pacchetto / caso E-Line-3
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