Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli ZTX855STZ

Diodes Incorporated ZTX855STZ

Numero di parte
ZTX855STZ
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
TRANS NPN 150V 4A E-LINE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteZTX855STZ
Stato parteActive
Transistor TypeNPN
Corrente - Collector (Ic) (Max)4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic260mV @ 400mA, 4A
Corrente - Limite del collettore (max)50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1A, 5V
Potenza - Max1.2W
Frequenza - Transizione90MHz
temperatura di esercizio-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoE-Line-3
Pacchetto dispositivo fornitoreE-Line (TO-92 compatible)
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