Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF ZTX325STZ

Diodes Incorporated ZTX325STZ

Numero di parte
ZTX325STZ
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
TRANSISTOR RF NPN E-LINE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Numero di parte ZTX325STZ
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V
Frequenza - Transizione 1.3GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 5dB @ 500MHz
Guadagno 53dB
Potenza - Max 350mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 2mA, 1V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 50mA
temperatura di esercizio -55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso E-Line-3, Formed Leads
Pacchetto dispositivo fornitore E-Line (TO-92 compatible)
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