Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array ZDT6705TA

Diodes Incorporated ZDT6705TA

Numero di parte
ZDT6705TA
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
TRANS NPN/PNP DARL 120V 1A SM8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Numero di parte ZDT6705TA
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN, PNP Darlington (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1mA, 1A
Corrente - Limite del collettore (max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 1A, 5V
Potenza - Max 2.75W
Frequenza - Transizione 150MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-223-8
Pacchetto dispositivo fornitore SM8
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