Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF MMBTH10-7-F

Diodes Incorporated MMBTH10-7-F

Numero di parte
MMBTH10-7-F
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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In stock 3715 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
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    -
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  • 100 pcs

    0.05870/pcs
  • 500 pcs

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  • 1,000 pcs

    0.02627/pcs
Totale:0Unit Price:
0
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteMMBTH10-7-F
Stato parteActive
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)25V
Frequenza - Transizione650MHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max300mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
Corrente - Collector (Ic) (Max)50mA
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3
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