Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli MMBT4126-7

Diodes Incorporated MMBT4126-7

Numero di parte
MMBT4126-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Numero di parte MMBT4126-7
Stato parte Obsolete
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 1V
Potenza - Max 300mW
Frequenza - Transizione 250MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3
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