Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli MMBF170-7-F

Diodes Incorporated MMBF170-7-F

Numero di parte
MMBF170-7-F
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteMMBF170-7-F
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C500mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds40pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5 Ohm @ 200mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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