Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli MMBF170-7-F

Diodes Incorporated MMBF170-7-F

Numero di parte
MMBF170-7-F
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte MMBF170-7-F
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 200mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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