Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array LBN150B01-7

Diodes Incorporated LBN150B01-7

Numero di parte
LBN150B01-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT26
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Numero di parte LBN150B01-7
Stato parte Active
Transistor Type NPN, PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 360mV @ 20mA, 200mA / 500mV @ 20mA, 200mA
Corrente - Limite del collettore (max) 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 100mA, 1V / 32 @ 100mA, 1V
Potenza - Max 300mW
Frequenza - Transizione 250MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-26
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fabbricante: Diodes Incorporated

Descrizione: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT26

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