Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF FMMT5179TC

Diodes Incorporated FMMT5179TC

Numero di parte
FMMT5179TC
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
TRANSISTOR RF NPN SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Numero di parteFMMT5179TC
Stato parteObsolete
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)12V
Frequenza - Transizione2GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)4.5dB @ 200MHz
Guadagno15dB
Potenza - Max330mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce25 @ 3mA, 1V
Corrente - Collector (Ic) (Max)50mA
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3
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