Diodes Incorporated DMT6008LFG-13

Numero di parte: DMT6008LFG-13
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Diodes Incorporated

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Numero di parte	DMT6008LFG-13
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	13A (Ta), 60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2713pF @ 30V
Vgs (massimo)	±12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.2W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerDI3333-8
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN