Diodes Incorporated DMT10H015LCG-7

Numero di parte: DMT10H015LCG-7
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Diodes Incorporated

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Numero di parte	DMT10H015LCG-7
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.4A (Ta), 34A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1871pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	V-DFN3333-8
Pacchetto / caso	8-VDFN Exposed Pad