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| Numero di parte | DMN65D8LDW-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 115mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.87nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 25V |
| Potenza - Max | 300mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Disponibile: 2000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363
Disponibile: 6000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Disponibile: 18000
