Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array DMN5L06DWK-7

Diodes Incorporated DMN5L06DWK-7

Numero di parte
DMN5L06DWK-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Parametro del prodotto
Numero di parte DMN5L06DWK-7
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 305mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Potenza - Max 250mW
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363
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