Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array DMN32D2LV-7

Diodes Incorporated DMN32D2LV-7

Numero di parte
DMN32D2LV-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte DMN32D2LV-7
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 400mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 39pF @ 3V
Potenza - Max 400mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563
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