Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array DMN3055LFDB-7

Diodes Incorporated DMN3055LFDB-7

Numero di parte
DMN3055LFDB-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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In stock 165587 pz

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0.07951/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteDMN3055LFDB-7
Stato parteActive
Tipo FET2 N-Channel
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs40 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds458pF @ 15V
Potenza - Max-
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreU-DFN2020-6
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