Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array DMN3035LWN-7

Diodes Incorporated DMN3035LWN-7

Numero di parte
DMN3035LWN-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteDMN3035LWN-7
Stato parteActive
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs35 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds399pF @ 15V
Potenza - Max770mW
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitoreV-DFN3020-8
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