Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array DMN3033LSD-13

Diodes Incorporated DMN3033LSD-13

Numero di parte
DMN3033LSD-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteDMN3033LSD-13
Stato parteActive
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds725pF @ 15V
Potenza - Max2W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP
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