Diodes Incorporated DMN3032LFDB-7

Numero di parte: DMN3032LFDB-7
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Array

Diodes Incorporated

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Numero di parte	DMN3032LFDB-7
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 15V
Potenza - Max	1W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	U-DFN2020-6 (Type B)