Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array DMN3032LFDB-7

Diodes Incorporated DMN3032LFDB-7

Numero di parte
DMN3032LFDB-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteDMN3032LFDB-7
Stato parteActive
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 15V
Potenza - Max1W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreU-DFN2020-6 (Type B)
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