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| Numero di parte | DMHT6016LFJ-13 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 4 N-Channel |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14.8A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 864pF @ 30V |
| Potenza - Max | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 12-VDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | V-DFN5045-12 |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN5045-
Disponibile: 0
