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| Numero di parte | DMHC4035LSDQ-13 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta), 3.7A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 3.9A, 10V, 65 mOhm @ 4.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.9nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 574pF @ 20V, 587pF @ 20V |
| Potenza - Max | 1.5W (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC
Disponibile: 2500
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
Disponibile: 0
