Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array DMG6898LSD-13

Diodes Incorporated DMG6898LSD-13

Numero di parte
DMG6898LSD-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte DMG6898LSD-13
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1149pF @ 10V
Potenza - Max 1.28W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
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DMG6898LSD-13

fabbricante: Diodes Incorporated

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Disponibile: 0

RFQ 0.15007/pcs
DMG6898LSDQ-13

fabbricante: Diodes Incorporated

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

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