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| Numero di parte | BSS8402DW-7-F |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 50V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 115mA, 130mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 50mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Potenza - Max | 200mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
Disponibile: 84000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N/P-CH 60V/50V
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET P-CH 50V TO-236AB
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET P-CH 50V SOT883
Disponibile: 0
