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| Numero di parte | BS250PSTZ |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 230mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm @ 200mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | E-Line (TO-92 compatible) |
| Pacchetto / caso | E-Line-3 |
fabbricante: Panduit Corp
Descrizione: STRAP BRAIDED BONDING 2HOLE
Disponibile: 0
fabbricante: Panduit Corp
Descrizione: STRAP BRAIDED BONDING 2HOLE
Disponibile: 0
fabbricante: Panduit Corp
Descrizione: STRAP BRAIDED BONDING 2HOLE
Disponibile: 0
fabbricante: JST Sales America Inc.
Descrizione: CONN HEADER R/A 20POS NH
Disponibile: 0
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: IC DVR IGBT/MOSFET
Disponibile: 0
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
Disponibile: 0
