Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli BS170P

Diodes Incorporated BS170P

Numero di parte
BS170P
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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In stock 30242 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.43500/pcs
  • 10 pcs

    0.38900/pcs
  • 100 pcs

    0.29995/pcs
  • 500 pcs

    0.22220/pcs
  • 1,000 pcs

    0.17776/pcs
Totale:0.43500/pcsUnit Price:
0.43500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteBS170P
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C270mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds60pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5 Ohm @ 200mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3
Pacchetto / casoTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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