Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli 2DB1188P-13

Diodes Incorporated 2DB1188P-13

Numero di parte
2DB1188P-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
TRANS PNP 32V 2A SOT89-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Numero di parte2DB1188P-13
Stato parteActive
Transistor TypePNP
Corrente - Collector (Ic) (Max)2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic800mV @ 200mA, 2A
Corrente - Limite del collettore (max)100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce82 @ 500mA, 3V
Potenza - Max1W
Frequenza - Transizione120MHz
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoTO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-89
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