Casa Indice del prodotto Circuiti integrati (CI) Memoria S34MS01G200TFB003

Cypress Semiconductor Corp S34MS01G200TFB003

Numero di parte
S34MS01G200TFB003
fabbricante
Cypress Semiconductor Corp
Descrizione
NAND
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Memoria
Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

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In stock 9438 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.86546/pcs
  • 1,000 pcs

    1.18827/pcs
Totale:0.86546/pcs Unit Price:
0.86546/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte S34MS01G200TFB003
Stato parte Active
Tipo di memoria Non-Volatile
Formato di memoria FLASH
Tecnologia FLASH - NAND
Dimensione della memoria 1Gb (128M x 8)
Frequenza di clock -
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina 45ns
Tempo di accesso 45ns
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 1.7 V ~ 1.95 V
temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio -
Pacchetto / caso -
Pacchetto dispositivo fornitore -
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