cree is an innovator and manufacturer of semiconductors and devices that enhance the value of power, solid-state lighting and communications products.
| Numero di parte | CPMF-1200-S160B |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tj) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47.1nC @ 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 928pF @ 800V |
| Vgs (massimo) | +25V, -5V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 202W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 10A, 20V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
| Pacchetto / caso | Die |
fabbricante: Cree/Wolfspeed
Descrizione: MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE
Disponibile: 0
fabbricante: Cree/Wolfspeed
Descrizione: MOSFET N-CH SICFET 1200V 28A DIE
Disponibile: 0
