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| Numero di parte | CWDM305P TR13 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | 16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 2.7A, 10V |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Disponibile: 15000
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Disponibile: 5000
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Disponibile: 2500
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET P-CH 16V 5.3A 8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Disponibile: 0
