Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF NE85639-T1-R28-A

CEL NE85639-T1-R28-A

Numero di parte
NE85639-T1-R28-A
fabbricante
CEL
Descrizione
SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
CEL California Eastern Labs

CEL California Eastern Labs

cel is a stable provider of rf & optoelectronic components and rf modules.

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Parametro del prodotto
Numero di parte NE85639-T1-R28-A
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Frequenza - Transizione 9GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
Guadagno 13dB
Potenza - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 10V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-253-4, TO-253AA
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-143
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