Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF NE68139R-T1

CEL NE68139R-T1

Numero di parte
NE68139R-T1
fabbricante
CEL
Descrizione
TRANS NPN 1GHZ SOT-143R
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
CEL California Eastern Labs

CEL California Eastern Labs

cel is a stable provider of rf & optoelectronic components and rf modules.

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte NE68139R-T1
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V
Frequenza - Transizione 9GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz
Guadagno 13.5dB
Potenza - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 7mA, 3V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 65mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-143R
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-143R
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