Numero di parte | AOB1100L |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta), 130A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4833pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 500W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7 mOhm @ 20A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D²Pak) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
fabbricante: Amulet Technologies LLC
Descrizione: BOARD INTERFACE ONBOARD RS232
Disponibile: 0
fabbricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione: IGBT 650V 10A TO263
Disponibile: 0
fabbricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Disponibile: 0