Dispositivi di protezione da sovratensioni, sovracorrenti, sovratemperature | 0 items

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MAP6KE43CAE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE47A

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE47AE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE47CA

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE47CAE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE51A

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE51AE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE51CA

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE51CAE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE56A

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 47.8VWM 77VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE56AE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 47.8VWM 77VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE56CA

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 47.8VWM 77VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE56CAE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 47.8VWM 77VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE6.8A

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE6.8AE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE6.8CA

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE6.8CAE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE62A

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 53VWM 85VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE62AE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 53VWM 85VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE62CA

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 53VWM 85VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE62CAE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 53VWM 85VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE68A

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 58.1VWM 92VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE68AE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 58.1VWM 92VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE68CA

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 58.1VWM 92VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE68CAE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 58.1VWM 92VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE7.5A

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE7.5AE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE7.5CA

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE7.5CAE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE75A

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE75AE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE75CA

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE75CAE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE8.2A

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE8.2AE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE8.2CA

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE8.2CAE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE82A

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE82AE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE82CA

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE82CAE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE9.1A

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE9.1AE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE9.1CA

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE9.1CAE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE91A

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE91AE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE91CA

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MAP6KE91CAE3

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Disponibile: 0

RFQ -

MART100KP100A

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: TVS DIODE 100VWM 197VC CASE5A

Disponibile: 0

RFQ -