Numéro d'article | SQJ960EP-T1_GE3 |
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État de la pièce | Active |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
FET Caractéristique | Logic Level Gate |
Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 5.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 735pF @ 25V |
Puissance - Max | 34W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | PowerPAK® SO-8 Dual |
Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® SO-8 Dual |
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 60V 8A
En stock: 0
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET ARRAY 2P-CH 60V SO8
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8
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