Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples SQ4080EY-T1_GE3

Vishay Siliconix SQ4080EY-T1_GE3

Numéro d'article
SQ4080EY-T1_GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET N-CH 150V 18A SOT23-3
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Vishay Corporation

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Paramètre du produit
Numéro d'article SQ4080EY-T1_GE3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1590pF @ 75V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 7.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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SQ4080EY-T1_GE3

Fabricant: Vishay Siliconix

La description: MOSFET N-CH 150V 18A SOT23-3

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