Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples SQ1470EH-T1-GE3

Vishay Siliconix SQ1470EH-T1-GE3

Numéro d'article
SQ1470EH-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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Paramètre du produit
Numéro d'article SQ1470EH-T1-GE3
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.8A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 25V
Vgs (Max) ±12V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SC-70-6 (SOT-363)
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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SQ1470AEH-T1_GE3

Fabricant: Vishay Siliconix

La description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70

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SQ1470EH-T1-GE3

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