Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices SIZ900DT-T1-GE3

Vishay Siliconix SIZ900DT-T1-GE3

Numéro d'article
SIZ900DT-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

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Paramètre du produit
Numéro d'article SIZ900DT-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 24A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1830pF @ 15V
Puissance - Max 48W, 100W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-PowerPair™
Package de périphérique fournisseur 6-PowerPair™
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