Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples SIHF23N60E-GE3

Vishay Siliconix SIHF23N60E-GE3

Numéro d'article
SIHF23N60E-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET N-CH 600V 23A TO-220
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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Paramètre du produit
Numéro d'article SIHF23N60E-GE3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2418pF @ 100V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 158 mOhm @ 12A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220 Full Pack
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack
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