Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices SI7998DP-T1-GE3

Vishay Siliconix SI7998DP-T1-GE3

Numéro d'article
SI7998DP-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Vishay Corporation

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Paramètre du produit
Numéro d'article SI7998DP-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 25A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V
Puissance - Max 22W, 40W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas PowerPAK® SO-8 Dual
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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