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| Numéro d'article | SI7922DN-T1-GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 1.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Puissance - Max | 1.3W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
En stock: 3000
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
En stock: 99000
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
En stock: 6000
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
En stock: 0
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
En stock: 0
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
En stock: 0
