Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices SI7913DN-T1-GE3

Vishay Siliconix SI7913DN-T1-GE3

Numéro d'article
SI7913DN-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Vishay Corporation

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Paramètre du produit
Numéro d'article SI7913DN-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 1.3W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas PowerPAK® 1212-8 Dual
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual
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RFQ 0.39353/pcs
SI7913DN-T1-GE3

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