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| Numéro d'article | SI7900AEDN-T1-GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Puissance - Max | 1.5W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
En stock: 27000
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
En stock: 0
