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| Numéro d'article | SI4913DY-T1-GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 7.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 500µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Puissance - Max | 1.1W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SO |
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
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