Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices SI4501ADY-T1-E3

Vishay Siliconix SI4501ADY-T1-E3

Numéro d'article
SI4501ADY-T1-E3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Vishay Corporation

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Paramètre du produit
Numéro d'article SI4501ADY-T1-E3
État de la pièce Obsolete
FET Type N and P-Channel, Common Drain
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V, 8V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6.3A, 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 1.3W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
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