Numéro d'article | MSE1PJ-M3/89A |
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État de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Rectifié moyen (Io) | 1A |
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 780ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacitance @ Vr, F | 5pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | MicroSMP |
Package de périphérique fournisseur | MicroSMP |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP
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Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP
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Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP
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Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP
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Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: DIODE GEN PURP 400V 1A MICROSMP
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Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: DIODE GEN PURP 400V 1A MICROSMP
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Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
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Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
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La description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
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